按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页，按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页，按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部！
————未阅读完？加入书签已便下次继续阅读！
C6 1nF 0603 ±5％
C7 15pF 0603 ±1％
C8 0603 ±0。1pF
C9 47pF 0603 ±1％
C10 22pF 0603 ±1％
C11 0603 ±5％
C12 10nF 0603 ±10％
C13 10nF 0603 ±10％
C14 10nF 0603 ±10％
C15 4。7pF 0603 ±0。1pF
C16 1。8pF 0603 ±0。1pF
C17 12pF 0603 ±1％
C18 10nF 0603 ±10％
C19 2。2nF 0603 ±10％
…………………………………………………………Page 873……………………………………………………………
·202 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
续表
符 号 参 数 型 号 误 差
C20 47nF 0603 ±10％
C21 47nF 0603 ±10％
C22 47nF 0603 ±10％
C23 47nF 0603 ±10％
C24 100nF 0603 ±10％
C25 100nF 0603 ±10％
C26 0603 ±10％
C27 100nF 0603 ±10％
C28 100nF 0603 ±10％
C29 100nF 0603 ±10％
C30 0603 ±10％
L1 68nH SIMID 0603…C ±2％
（EPCOS）
L2 12nH SIMID 0603…C ±2％
（EPCOS）
L3 8。2nH SIMID 0603…C ±0。2nH
（EPCOS）
IC1 TDA5250 D2 PTSSOP38
IC2 ILQ74
IC3 SFH6186
Q1 18。0898MHz Telcona： C1=8pF；C =12pF
L
C0=2；1pF
S1 1…pol。
T1 BC847B SOT…23（Infineon）
D1；D2 BAR63…02W SCD…80（Infineon）
X1；X2 SMA…socket
X5 SubD 25p
…………………………………………………………Page 874……………………………………………………………
第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·203 ·
…………………………………………………………Page 875……………………………………………………………
·204 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
图3。4。6 元器件布局与印制板图
3。5 433/870/915MH FSK 收发器芯片XE1202 的原理
与应用电路设计
3。5。1 概述
XE1202 是将无线发射与接收功能集成在单一芯片上的射频收发芯片，芯片内集成了射
频发射、射频接收、PLL 合成、FSK 调制等电路，具有高速率、超低功耗等功能。可工作在
433MHz 、870MHz 和915MHz ISM 频带，其数据传输速率可达76。8kb/s 。XE1202 采用连续
相位的2 级移频键控（CPFSK ）方式。XE1202 的接收部分集成有低噪声放大器（LNA ）和
下变频器，采用直接变频方式，具有滤波通道和接收用的解调器，微控制器接口可直接对数
据进行处理，并可以产生同步数据时钟（CLKD ）。XE1202 的发射部分可提供一个完整的通
道，完成从数据到天线的传送，该部分带有一个可对频偏进行编程的直接上变频器，并可对
…………………………………………………………Page 876……………………………………………………………
第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·205 ·
RF 输出功率进行控制。芯片具有3 线总线接口，可通过3 线总线以及外部引脚来设置传输状
态，仅需极少的外部元件（天线匹配网络、振荡电路、SAW 振荡器）即可完成接收和发射的
双重功能。发射功率也可以通过总线来控制。XE1202 符合I…ETS300…220 标准。
3。5。2 主要技术指标
XE1202 的主要技术指标如表3。5。1 所示。
表3。5。1 XE1202 的主要技术指标
参数 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压 2。7 3。3 3。6 V
接收电源电流 12 13。5 mA
发射电源电流 33 48 mA
待机电流 0。2 1 uA
频率范围 300